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村田的高密度硅電容器，通過應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝實現(xiàn)三維化，大幅增加電容器表面積，從而提高了基板單位面積的靜電容量。

適合的市場細分

網(wǎng)絡(luò)相關(guān)（RF功率放大器、寬帶通信）、高可靠性用途、醫(yī)療、汽車、通信。

村田村田硅電容|MURATA的MGSC系列，以所有的重要插件和生命支持解決方案為目標。這種深槽MOS電容器，利用通過ISO-13485認證的村田設(shè)備制造，采用特別的Mosaic設(shè)計，與分散的溝槽電容器組合，電氣特性達到了超高的水平。村田提供的各種電容器，均在制造過程中采用經(jīng)過900℃退火處理的高純度氧化膜，符合AEC-Q100標準。

并且，對根據(jù)用途的關(guān)鍵性而生產(chǎn)的電容器進行100%屏蔽，排除“初始”缺陷。漏電流極低，在使用電池的用途上，可以改善性能，延長使用壽命。硅電容器技術(shù)與替代的陶瓷電容器技術(shù)相比，不僅可靠性高，而且兼具穩(wěn)定性和輕薄性。MGSC電容器與標準的外置SMD解決方案相比，去藕性能得到加強，可在插件上直接集成。