CCT射頻高Q多層片式電容|高Q電容|ATC電容

適用于微波相控陣?yán)走_(dá)T/R組件、射頻功率放大器、濾波器、振蕩器、計(jì)時(shí)電路、天線調(diào)諧、磁共振成像系統(tǒng)等設(shè)備中起耦合、調(diào)諧、旁路、隔直作用；

 1.特點(diǎn)

• 尺寸規(guī)格系列化，適用于混合集成電路或印刷電路的表面貼裝元件；

• 具有高Q值、低ESR、可靠性高的特點(diǎn)；

• 損耗低、電容量穩(wěn)定性高、工作頻率最高可達(dá)3GHz；
  

• 國(guó)軍標(biāo)生產(chǎn)線生產(chǎn)；

• 通訊、雷達(dá)、彈引信、艦船及航空、航天系統(tǒng)的地面電子設(shè)備及民用高端設(shè)備；

• 使用于各類設(shè)備中的高頻電路、VHF-微波段、射頻及放大電路中。
  

  
  

 2.主要性能指標(biāo)

• 溫度系數(shù)：C0G：0±30ppm/℃；

• 電容量漂移：不超過(guò)±0.2%或±0.05pF，取較大者；

• 品質(zhì)因數(shù)（Q值）：頻率為1MHz/1KHz時(shí)大于2000

• 老化特性：無(wú)；

• 絕緣電阻；在20℃下：≥100000MΩ

• 工作溫度：-55~125℃